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Laptop de PowerTrench®in do P-canal do pacote da eletrônica de poder 8-SOIC do MOSFET de FDS6675BZ
Tipo do FET
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Tecnologia
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MOSFET (óxido de metal)
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Drene à tensão da fonte (Vdss)
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Atual - dreno contínuo (identificação) @ 25°C
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Tensão da movimentação (Max Rds On, Min Rds On)
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4.5V, 10V
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RDS (máximo) @ na identificação, Vgs
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13mOhm @ 11A, 10V
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Identificação de Vgs (th) (máximo) @
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3V @ 250µA
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Carga da porta (Qg) (máximo) @ Vgs
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62 nC @ 10 V
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Vgs (máximo)
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±25V
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Capacidade entrada (Ciss) (máximo) @ Vds
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2470 PF @ 15 V
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Característica do FET
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-
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Dissipação de poder (máxima)
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2.5W (Ta)
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Temperatura de funcionamento
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-55°C ~ 150°C (TJ)
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Montando o tipo
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Pacote do dispositivo do fornecedor
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8-SOIC
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Pacote/caso
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Descrição geral
Este MOSFET do P-canal é utilização producted no processo avançado do PowerTrench do semicondutor que tem
costurado especialmente para minimizar a resistência do em-estado.
Este dispositivo é bem - serido para a gestão do poder e as aplicações de comutação da carga comuns nos laptop
e blocos portáteis da bateria.
Características
RDS máximo (sobre) = 13mΩ em VGS = -10V, identificação = -11A
RDS máximo (sobre) = 21.8mΩ em VGS = -4.5V, identificação = -9A
Escala prolongada de VGS (- 25V) para aplicações da bateria
Nível da proteção de HBM ESD de 5,4 quilovolts típico (nota 3)
Hnology técnico da trincheira do elevado desempenho para extremamente - o baixo RDS (sobre)
Poder superior e capacidade entregando atual
RoHS complacente
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