FDMC610P MOSFET Eletrônica de Potência
8-PowerTDFN Package corpo diodo reverso desempenho de recuperação P-Channel
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Tipo FET
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Tecnologia
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Dreno para Tensão da Fonte (Vdss)
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Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C
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Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On)
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Rds On (Max) @ Id, Vgs
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Vgs(th) (Max) @ Id
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Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs
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Vgs (Máx.)
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Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
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Recurso FET
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Dissipação de energia (máx.)
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Temperatura de operação
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Tipo de montagem
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Pacote de dispositivos do fornecedor
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Características
Max rDS(on) = 3,9 mΩ em VGS = -4,5 V, ID = -22 A
Max rDS(on) = 6,4 mΩ em VGS = -2,5 V, ID = -16 A
Desempenho de comutação de última geração
Menor capacitância de saída, resistência de porta e eficiência de aumento de carga de porta
A tecnologia de portão blindado reduz o toque do nó do switch e aumenta a imunidade a EMI e à condução cruzada Compatível com RoHS
Descrição geral
Este MOSFET P-Channel foi projetado especificamente para melhorar a eficiência geral e minimizar o toque do nó de comutação de conversores DC/DC usando controladores PWM de comutação síncronos ou convencionais.Ele foi otimizado para baixa carga de gate, baixo rDS(on), velocidade de comutação rápida e desempenho de recuperação reversa do diodo do corpo.
Formulários
Comutação de lado alto para computação de ponta
Conversor buck síncrono DC-DC de alta densidade de potência
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