FDMS86252 MOSFET Eletrônica de Potência
N-Channel Shielded Gate 150 V alta eficiência desempenho de comutação superior
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Tipo FET
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Tecnologia
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Dreno para Tensão da Fonte (Vdss)
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Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C
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Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On)
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Rds On (Max) @ Id, Vgs
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Vgs(th) (Max) @ Id
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Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs
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Vgs (Máx.)
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Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
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Recurso FET
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Dissipação de energia (máx.)
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Temperatura de operação
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Tipo de montagem
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Pacote de dispositivos do fornecedor
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Pacote / Estojo
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Características
Tecnologia MOSFET de portão blindado
Max rDS(on) = 51 mΩ em VGS = 10 V, ID = 4,6 A
Max rDS(on) = 70 mΩ em VGS = 6 V, ID = 3,9 A
Pacote avançado e combinação de silício para baixo rDS(on) e alta eficiência
Projeto de pacote robusto MSL1
100% UIL testado
Compatível com RoHS Geral
Descrição
Este MOSFET N-Channel é produzido usando o avançado processo PowerTrench® da Fairchild Semiconductor, que incorpora a tecnologia Shielded Gate.Este processo foi otimizado para a resistência no estado e ainda mantém um desempenho de comutação superior.
Aplicativo
Conversão DC-DC
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