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FQPF19N20C MOSFET Power Electronics N-Channel Package TO-220 adequado para fontes de alimentação de modo comutado
Canal N PowerTrench
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Dreno para Tensão da Fonte (Vdss)
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Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C
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Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On)
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10V
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Rds On (Max) @ Id, Vgs
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170mOhm @ 9,5A, 10V
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Vgs(th) (Max) @ Id
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4V @ 250µA
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Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs
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53 nC @ 10 V
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Vgs (Máx.)
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±30V
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Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
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1080 pF @ 25 V
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Recurso FET
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-
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Dissipação de energia (máx.)
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43W (Tc)
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Temperatura de operação
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-55°C ~ 150°C (TJ)
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Tipo de montagem
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Pacote de dispositivos do fornecedor
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TO-220F-3
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Pacote / Estojo
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Características
• 19 A, 200 V, RDS(ligado) = 170 mΩ (Máx.) @ VGS = 10 V,
DI = 9,5 A
• Baixa carga de portão (Typ. 40,5 nC)
• Baixo Crss (Typ. 85 pF)
• 100% testado em avalanche
Descrição
Este MOSFET de potência do modo de aprimoramento N-Channel é produzido usando a tecnologia DMOS e fita planar proprietária da Fairchild Semiconductor.Esta avançada tecnologia MOSFET foi especialmente adaptada para reduzir a resistência no estado e para fornecer desempenho de comutação superior e alta força de energia de avalanche.Esses dispositivos são adequados para fontes de alimentação de modo comutado, correção do fator de potência ativa (PFC) e reatores de lâmpadas eletrônicas.
