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Pacote NVMFS5C604NLAFT1G MOSFET Power Electronics Single N-Channel 5-DFN

Tipo FET	Canal N
Tecnologia	MOSFET (Óxido Metálico)
Dreno para Tensão da Fonte (Vdss)	60 V
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C	287A (Tc)
Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On)	4,5 V, 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1,2mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	2V @ 250µA
Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs	52 nC @ 4,5 V
Vgs (Máx.)	±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	8900 pF @ 25 V
Recurso FET	-
Dissipação de energia (máx.)	200W (Tc)
Temperatura de operação	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem	Montagem em superfície
Pacote de dispositivos do fornecedor	5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Pacote / Estojo	8-PowerTDFN, 5 derivações

Pacote NVMFS5C604NLAFT1G MOSFET Power Electronics Single N-Channel 5-DFN

Microplaqueta programável de IC

Microplaqueta de IC do circuito integrado

Unidade do microcontrolador de MCU

Microplaquetas de IC dos componentes eletrônicos

Microplaquetas de memória Flash

Eletrônica de poder do MOSFET

Módulo de poder de IGBT

Transistor do diodo de IC

Pacote NVMFS5C604NLAFT1G MOSFET Power Electronics Single N-Channel 5-DFN

p-channel mosfet sot-23

datasheet 7 segment common anode

mosfet module tp6c07001