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NTMFS5C410NT1G MOSFET Eletrônica de Potência Único Canal N 40 V 0,92 m 300 A Pacote 5-DFN

Dreno para Tensão da Fonte (Vdss)	40 V
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C	46A (Ta), 300A (Tc)
Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	0,92mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	3,5V @ 250µA
Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs	86 nC @ 10 V
Vgs (Máx.)	±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	6100 pF @ 25 V
Recurso FET	-
Dissipação de energia (máx.)	3,9W (Ta), 166W (Tc)
Temperatura de operação	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem	Montagem em superfície
Pacote de dispositivos do fornecedor	5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Pacote / Estojo	8-PowerTDFN, 5 derivações

NTMFS5C410NT1G MOSFET Eletrônica de Potência Único Canal N 40 V 0,92 m 300 A Pacote 5-DFN

Microplaqueta programável de IC

Microplaqueta de IC do circuito integrado

Unidade do microcontrolador de MCU

Microplaquetas de IC dos componentes eletrônicos

Microplaquetas de memória Flash

Eletrônica de poder do MOSFET

Módulo de poder de IGBT

Transistor do diodo de IC

NTMFS5C410NT1G MOSFET Eletrônica de Potência Único Canal N 40 V 0,92 m 300 A Pacote 5-DFN

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