
Add to Cart
Canal N PowerTrench
Tipo FET
|
|
|
Tecnologia
|
MOSFET (Óxido Metálico)
|
|
Dreno para Tensão da Fonte (Vdss)
|
|
|
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C
|
|
|
Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On)
|
10V
|
|
Rds On (Max) @ Id, Vgs
|
70mOhm @ 22A, 10V
|
|
Vgs(th) (Max) @ Id
|
4,5V @ 4,4mA
|
|
Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs
|
78 nC @ 10 V
|
|
Vgs (Máx.)
|
±30V
|
|
Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
|
3090 pF @ 400 V
|
|
Recurso FET
|
-
|
|
Dissipação de energia (máx.)
|
312W (Tc)
|
|
Temperatura de operação
|
-55°C ~ 150°C (TJ)
|
|
Tipo de montagem
|
|
|
Pacote de dispositivos do fornecedor
|
D²PAK (TO-263)
|
|
Pacote / Estojo
|
Descrição
O MOSFET SUPERFET III é a novíssima família MOSFET de superjunção (SJ) de alta tensão da ON Semiconductor que está utilizando a tecnologia de balanceamento de carga para excelente desempenho de baixa resistência e carga de gate.Esta tecnologia avançada é adaptada para minimizar a perda de condução, fornecer desempenho de comutação superior e
suportar taxa dv/dt extrema.Consequentemente, o SUPERFET III MOSFET é muito adequado para várias conversões de energia CA/CC para miniaturização do sistema e maior eficiência.
Características
• 700 V @ TJ = 150°C
• RDS(ligado) = 62 m (Típico)
• Carga de portão ultra baixa (Typ. Qg = 78 nC)
• Capacitância de saída efetiva baixa (Typ. Coss(eff.) = 715 pF)
• 100% testado em avalanche
• Esses dispositivos são livres de Pb e são compatíveis com RoHS
Formulários
• Fontes de alimentação de telecomunicações/servidor
• Fontes de alimentação industriais
• UPS / Solar