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• Os bens são assegurados o possível o mais de alta qualidade e entregados a nossos clientes pelo mundo inteiro com velocidade e precisão.

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N-canal 60 V 46 A da eletrônica de poder do MOSFET de NTD5865NLT4G pacote TO-252 de 16 m

Drene à tensão da fonte (Vdss)	60 V
Atual - dreno contínuo (identificação) @ 25°C	46A (Tc)
Tensão da movimentação (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
RDS (máximo) @ na identificação, Vgs	16mOhm @ 20A, 10V
Identificação de Vgs (th) (máximo) @	2V @ 250µA
Carga da porta (Qg) (máximo) @ Vgs	29 nC @ 10 V
Vgs (máximo)	±20V
Capacidade entrada (Ciss) (máximo) @ Vds	1400 PF @ 25 V
Característica do FET	-
Dissipação de poder (máxima)	71W (Tc)
Temperatura de funcionamento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Montando o tipo	Montagem de superfície
Pacote do dispositivo do fornecedor	DPAK
Pacote/caso	TO-252-3, DPak (2 ligações + abas), SC-63

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Microplaqueta programável de IC

Microplaqueta de IC do circuito integrado

Unidade do microcontrolador de MCU

Microplaquetas de IC dos componentes eletrônicos

Microplaquetas de memória Flash

Eletrônica de poder do MOSFET

Módulo de poder de IGBT

Transistor do diodo de IC

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apr48 rectifier ba13ab1207

mosfet module tp6c07001

ksd301 125v 16a