Shenzhen Sai Collie Technology Co., Ltd.

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A eletrônica de poder 8-SOIC do MOSFET FDS4685 empacota aplicações da gestão do poder do P-canal 40V

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A eletrônica de poder 8-SOIC do MOSFET FDS4685 empacota aplicações da gestão do poder do P-canal 40V

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Number modelo :FDS4685
Lugar de origem :Original
Quantidade de ordem mínima :1
Termos do pagamento :L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacidade da fonte :999999
Prazo de entrega :1 - 3 dias
Detalhes de empacotamento :Padrão
Tipo do FET :P-canal
tecnologia :MOSFET (óxido de metal)
Drene à tensão da fonte (Vdss) :40V
Montando o tipo :Montagem de superfície
Vgs (máximo) :±20V
Temperatura de funcionamento :-55°C ~ 150°C (TJ)
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A eletrônica de poder 8-SOIC do MOSFET FDS4685 empacota aplicações da gestão do poder do P-canal 40V

 

 

 

 

 
Tipo do FET
Tecnologia
MOSFET (óxido de metal)
Drene à tensão da fonte (Vdss)
Atual - dreno contínuo (identificação) @ 25°C
Tensão da movimentação (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
RDS (máximo) @ na identificação, Vgs
27mOhm @ 8.2A, 10V
Identificação de Vgs (th) (máximo) @
3V @ 250µA
Carga da porta (Qg) (máximo) @ Vgs
27 nC @ 5 V
Vgs (máximo)
±20V
Capacidade entrada (Ciss) (máximo) @ Vds
1872 PF @ 20 V
Característica do FET
-
Dissipação de poder (máxima)
2.5W (Ta)
Temperatura de funcionamento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montando o tipo
Pacote do dispositivo do fornecedor
8-SOIC
Pacote/caso

 

 

 


Características


■– 8,2 A, – 40 V RDS (SOBRE) = 0,027 Ω @ VGS = – 10 V RDS (SOBRE) = 0,035 Ω @ VGS = – 4,5 V
■Velocidade de comutação rápida
■Tecnologia da trincheira do elevado desempenho para extremamente - o baixo RDS (SOBRE)
■Poder superior e capacidade de manipulação atual

 

 


Aplicações


■Gestão do poder
■Interruptor da carga
■Proteção da bateria

 

 


Descrição geral


Este MOSFET do P-canal é uma versão áspera da porta em processo avançado do PowerTrench do semicondutor. Foi
aperfeiçoado para as aplicações da gestão do poder que exigem uma vasta gama das avaliações da tensão da movimentação da porta (4.5V – 20V).

 

 

 

 

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A eletrônica de poder 8-SOIC do MOSFET FDS4685 empacota aplicações da gestão do poder do P-canal 40V

 

 

 
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