Eletrônica de poder do MOSFET de FCD2250N80Z
MOSFET 800V 2.6A de SuperFET® II do N-canal do pacote de TO-252AA
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Tipo do FET
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Tecnologia
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Drene à tensão da fonte (Vdss)
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Atual - dreno contínuo (identificação) @ 25°C
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Tensão da movimentação (Max Rds On, Min Rds On)
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RDS (máximo) @ na identificação, Vgs
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Identificação de Vgs (th) (máximo) @
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Carga da porta (Qg) (máximo) @ Vgs
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Vgs (máximo)
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Capacidade entrada (Ciss) (máximo) @ Vds
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Característica do FET
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Dissipação de poder (máxima)
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Temperatura de funcionamento
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Montando o tipo
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Pacote do dispositivo do fornecedor
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Pacote/caso
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Características
• 1,8 Typ do RDS (sobre) =.)
• Carga ultra baixa da porta (tipo. Qg = 11 nC)
• Baixo Eoss (tipo. 1,1 uJ @ 400V)
• Baixa capacidade de saída eficaz (tipo. Coss (EFF.) = 51 PF)
• A avalancha 100% testou
• RoHS complacente
• O ESD melhorou aplicações da capacidade
• C.A. - fonte de alimentação de DC • Iluminação do diodo emissor de luz
Descrição
O MOSFET de SuperFET® II é família de alta tensão do MOSFET da super-junção do semicondutor de Fairchild a novo (SJ) que está utilizando a tecnologia do equilíbrio da carga para a baixa em-resistência proeminente e um mais baixo desempenho da carga da porta. Esta tecnologia é costurada para minimizar a perda da condução, para fornecer o desempenho de comutação superior, a taxa de dv/dt e uma energia mais alta da avalancha. Consequentemente, o MOSFET de SuperFET II é muito apropriado para as aplicações de comutação do poder tais como o adaptador do áudio, do portátil, a iluminação, o poder de ATX e aplicações industriais do poder.
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