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2N7002H6327XTSA2 MOSFET Eletrônica de Potência Canal N OptiMOS™ Pacote de Transistor de Pequeno Sinal SOT23

Tipo FET	Canal N
Tecnologia	MOSFET (Óxido Metálico)
Dreno para Tensão da Fonte (Vdss)	60 V
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C	300mA (Ta)
Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On)	4,5 V, 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	3Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	2,5V @ 250µA
Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs	0,6 nC @ 10 V
Vgs (Máx.)	±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	20 pF @ 25 V
Recurso FET	-
Dissipação de energia (máx.)	500mW (Ta)
Temperatura de operação	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem	Montagem em superfície
Pacote de dispositivos do fornecedor	PG-SOT23
Pacote / Estojo	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

2N7002H6327XTSA2 MOSFET Eletrônica de Potência Canal N OptiMOS™ Pacote de Transistor de Pequeno Sinal SOT23

Microplaqueta programável de IC

Microplaqueta de IC do circuito integrado

Unidade do microcontrolador de MCU

Microplaquetas de IC dos componentes eletrônicos

Microplaquetas de memória Flash

Eletrônica de poder do MOSFET

Módulo de poder de IGBT

Transistor do diodo de IC

2N7002H6327XTSA2 MOSFET Eletrônica de Potência Canal N OptiMOS™ Pacote de Transistor de Pequeno Sinal SOT23

p-channel mosfet sot-23

sot23 mosfet

to220 mosfet