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BSS306NH6327XTSA1 MOSFET Eletrônica de Potência OptiMOS™2 Transistor de Pequeno Sinal Pacote N-Channel SOT-23

Tipo FET	Canal N
Tecnologia	MOSFET (Óxido Metálico)
Dreno para Tensão da Fonte (Vdss)	30 V
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C	2,3A (Ta)
Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On)	4,5 V, 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	57mOhm @ 2,3A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	2V @ 11µA
Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs	1,5 nC @ 5 V
Vgs (Máx.)	±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	275 pF @ 15 V
Recurso FET	-
Dissipação de energia (máx.)	500mW (Ta)
Temperatura de operação	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem	Montagem em superfície
Pacote de dispositivos do fornecedor	PG-SOT23
Pacote / Estojo	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

BSS306NH6327XTSA1 MOSFET Eletrônica de Potência OptiMOS™2 Transistor de Pequeno Sinal Pacote N-Channel SOT-23

Microplaqueta programável de IC

Microplaqueta de IC do circuito integrado

Unidade do microcontrolador de MCU

Microplaquetas de IC dos componentes eletrônicos

Microplaquetas de memória Flash

Eletrônica de poder do MOSFET

Módulo de poder de IGBT

Transistor do diodo de IC

BSS306NH6327XTSA1 MOSFET Eletrônica de Potência OptiMOS™2 Transistor de Pequeno Sinal Pacote N-Channel SOT-23

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