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BSZ099N06LS5ATMA1 MOSFET Power Electronics N-Channel OptiMOSTMPower-Transistor 60V Package PG-TSDSON-8 FL

Tipo FET	Canal N
Tecnologia	MOSFET (Óxido Metálico)
Dreno para Tensão da Fonte (Vdss)	60 V
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C	46A (Tc)
Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On)	4,5 V, 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	9,9mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	2,3V @ 14µA
Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs	3,1 nC @ 4,5 V
Vgs (Máx.)	±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	1300 pF @ 30 V
Recurso FET	Padrão
Dissipação de energia (máx.)	36W (Tc)
Temperatura de operação	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem	Montagem em superfície
Pacote de dispositivos do fornecedor	PG-TSDSON-8-FL
Pacote / Estojo	8-PowerTDFN

BSZ099N06LS5ATMA1 MOSFET Power Electronics N-Channel OptiMOSTMPower-Transistor 60V Package PG-TSDSON-8 FL

Microplaqueta programável de IC

Microplaqueta de IC do circuito integrado

Unidade do microcontrolador de MCU

Microplaquetas de IC dos componentes eletrônicos

Microplaquetas de memória Flash

Eletrônica de poder do MOSFET

Módulo de poder de IGBT

Transistor do diodo de IC

BSZ099N06LS5ATMA1 MOSFET Power Electronics N-Channel OptiMOSTMPower-Transistor 60V Package PG-TSDSON-8 FL

2sa1535 pnp power transistor

genset fawde 15 kva

in5408 diode equivalent