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IRF100S201 MOSFET Eletrônica de Potência
PG-TO263-3 Fontes de alimentação de modo ressonante de canal N do pacote PG-TO263-3
Tipo FET
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Tecnologia
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MOSFET (Óxido Metálico)
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Dreno para Tensão da Fonte (Vdss)
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Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C
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Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On)
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10V
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Rds On (Max) @ Id, Vgs
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4,2mOhm @ 115A, 10V
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Vgs(th) (Max) @ Id
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4V @ 250µA
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Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs
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255 nC @ 10 V
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Vgs (Máx.)
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±20V
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Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
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9500 pF @ 50 V
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Recurso FET
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-
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Dissipação de energia (máx.)
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441W (Tc)
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Temperatura de operação
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-55°C ~ 175°C (TJ)
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Tipo de montagem
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Pacote de dispositivos do fornecedor
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PG-TO263-3
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Pacote / Estojo
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Aplicativo
Aplicações de acionamento de motor escovado
Aplicações de acionamento de motor BLDC
Circuitos alimentados por bateria
Topologias meia ponte e ponte completa
Aplicações do retificador síncrono
Fontes de alimentação em modo ressonante
Interruptores de alimentação OR-ing e redundantes
Conversores DC/DC e AC/DC
Inversores CC/CA
Benefícios
Gate aprimorado, avalanche e robustez dinâmica dV/dt
Capacitância Totalmente Caracterizada e Avalanche SOA
Recurso aprimorado de diodo corporal dV/dt e dI/dt
Sem chumbo, compatível com RoHS, sem halogênio
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