Eletrônica de poder do MOSFET de IRFB4020PBF
N-canal baixo RDSON do pacote de TO-220AB para a eficiência melhorada
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Tipo do FET
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Tecnologia
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Drene à tensão da fonte (Vdss)
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Atual - dreno contínuo (identificação) @ 25°C
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Tensão da movimentação (Max Rds On, Min Rds On)
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RDS (máximo) @ na identificação, Vgs
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Identificação de Vgs (th) (máximo) @
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Carga da porta (Qg) (máximo) @ Vgs
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Vgs (máximo)
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Capacidade entrada (Ciss) (máximo) @ Vds
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Característica do FET
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Dissipação de poder (máxima)
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Temperatura de funcionamento
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Montando o tipo
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Pacote do dispositivo do fornecedor
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Pacote/caso
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Características
• Os parâmetros chaves aperfeiçoaram para aplicações do amplificador audio da classe-d
• Baixo RDSON para a eficiência melhorada
• Baixos QG e QSW para melhor THD e a eficiência melhorada
• Baixo QRR para melhor THD e o mais baixo IEM
• temperatura de junção 175°C de funcionamento para a aspereza
• Pode entregar até 300W pelo canal na carga 8Ω no amplificador da configuração da metade-ponte
Descrição
Este MOSFET do áudio de Digitas é projetado especificamente para aplicações do amplificador audio da classe-d. As técnicas deste processamento as mais atrasadas do utilizesthe do MOSFET para conseguir a baixa em-resistência pela área do silicone. Além disso, a carga da porta, a recuperação do corpo-diodereverse e a resistência interna da porta são aperfeiçoadas para melhorar performancefactors do amplificador audio da classe-d da chave tais como a eficiência, o THD e o IEM.
As características adicionais deste MOSFET estão a uma temperatura de junção 175°C de funcionamento e capacidade repetitiva da avalancha. Estas características combinam para fazer a este MOSFET um dispositivo altamente eficiente, robusto e seguro para aplicações do amplificador audio de ClassD.
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