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BSC011N03LSATMA1 MOSFET Power Electronics N-Channel OptiMOSTM Power-MOSFET 30V

Tipo FET	Canal N
Tecnologia	MOSFET (Óxido Metálico)
Dreno para Tensão da Fonte (Vdss)	30 V
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C	37A (Ta), 100A (Tc)
Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On)	4,5 V, 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1,1mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	2,2V @ 250µA
Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs	72 nC @ 10 V
Vgs (Máx.)	±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	4700 pF @ 15 V
Recurso FET	-
Dissipação de energia (máx.)	2,5 W (Ta), 96 W (Tc)
Temperatura de operação	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem	Montagem em superfície
Pacote de dispositivos do fornecedor	PG-TDSON-8-1
Pacote / Estojo	8-PowerTDFN

BSC011N03LSATMA1 MOSFET Power Electronics N-Channel OptiMOSTM Power-MOSFET 30V

Microplaqueta programável de IC

Microplaqueta de IC do circuito integrado

Unidade do microcontrolador de MCU

Microplaquetas de IC dos componentes eletrônicos

Microplaquetas de memória Flash

Eletrônica de poder do MOSFET

Módulo de poder de IGBT

Transistor do diodo de IC

BSC011N03LSATMA1 MOSFET Power Electronics N-Channel OptiMOSTM Power-MOSFET 30V

rs mmc dual voltage

dual voltage rs mmc

irf520 mosfet