Shenzhen Sai Collie Technology Co., Ltd.

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O N-canal 700V do pacote da eletrônica de poder PG-TO252-3 do MOSFET IPD70R1K4P7SAUMA1 custou a tecnologia competitiva

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O N-canal 700V do pacote da eletrônica de poder PG-TO252-3 do MOSFET IPD70R1K4P7SAUMA1 custou a tecnologia competitiva

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Number modelo :IPD70R1K4P7SAUMA1
Lugar de origem :Original
Quantidade de ordem mínima :1
Termos do pagamento :L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacidade da fonte :999999
Prazo de entrega :1 - 3 dias
Detalhes de empacotamento :Padrão
Tipo do FET :N-canal
tecnologia :MOSFET (óxido de metal)
Drene à tensão da fonte (Vdss) :700V
Vgs (máximo) :±16V
Temperatura de funcionamento :-40°C ~ 150°C (TJ)
Montando o tipo :Montagem de superfície
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Eletrônica de poder do MOSFET IPD70R1K4P7SAUMA1
O N-canal 700V do pacote PG-TO252-3 custou a tecnologia competitiva

 

 

 

 

Tipo do FET
Tecnologia
MOSFET (óxido de metal)
Drene à tensão da fonte (Vdss)
Atual - dreno contínuo (identificação) @ 25°C
Tensão da movimentação (Max Rds On, Min Rds On)
10V
RDS (máximo) @ na identificação, Vgs
1.4Ohm @ 700mA, 10V
Identificação de Vgs (th) (máximo) @
3.5V @ 40µA
Carga da porta (Qg) (máximo) @ Vgs
4,7 nC @ 10 V
Vgs (máximo)
±16V
Capacidade entrada (Ciss) (máximo) @ Vds
158 PF @ 400 V
Característica do FET
-
Dissipação de poder (máxima)
23W (Tc)
Temperatura de funcionamento
-40°C ~ 150°C (TJ)
Montando o tipo
Pacote do dispositivo do fornecedor
PG-TO252-3
Pacote/caso
 

 

 

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A nova série fornece todos os benefícios de um interruptor rápido SuperjunctionMOSFET, combinados com uma relação excelente do preço/desempenho e um nível de utilização fácil avançado. A tecnologia encontra os efficiencystandards os mais altos e apoia a densidade de poder superior, permitindo projetos muito magros dos goingtowards dos clientes.

 

 

 

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