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Pacote 8-SOIC da tecnologia da geração V do N-canal 20V da eletrônica de poder do MOSFET de IRF7401TRPBF
Tipo do FET
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Tecnologia
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MOSFET (óxido de metal)
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Drene à tensão da fonte (Vdss)
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Atual - dreno contínuo (identificação) @ 25°C
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Tensão da movimentação (Max Rds On, Min Rds On)
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2.7V, 4.5V
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RDS (máximo) @ na identificação, Vgs
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22mOhm @ 4.1A, 4.5V
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Identificação de Vgs (th) (máximo) @
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700mV @ 250µA (minuto)
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Carga da porta (Qg) (máximo) @ Vgs
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48 nC @ 4,5 V
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Vgs (máximo)
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±12V
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Capacidade entrada (Ciss) (máximo) @ Vds
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1600 PF @ 15 V
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Característica do FET
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-
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Dissipação de poder (máxima)
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2.5W (Ta)
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Temperatura de funcionamento
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-55°C ~ 150°C (TJ)
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Montando o tipo
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Pacote do dispositivo do fornecedor
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8-SO
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Pacote/caso
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Tecnologia da geração V
Em-resistência ultra baixa
N-ChannelMosfet
Montagem de superfície
Disponível na fita & no carretel
Interruptor dinâmico de dv/dt RatingFast
Sem chumbo
Descrição:
A quinta geração HEXFETs de Rectifierutilize internacional avançou técnicas de processamento para conseguir a em-resistência possível a mais thelowest pela área do silicone. Thisbenefit, combinado com o projeto andruggedized rápido do dispositivo da velocidade de comutação que HEXFET PowerMOSFETs são conhecidos para, fornece o designerwith um dispositivo extremamente eficiente para o uso em um widevariety das aplicações.
Os TÃO 8 foram alterados através de um customizedleadframe para características que térmicas aumentadas o andmultiple morre capacidade que faz o ideal em uma variedade de aplicações do poder. Withtheseimprovements, multipledevices pode ser usado em uma aplicação com espaço dramaticallyreduced da placa. O pacote é projetado técnicas de solda da fase, as infravermelhas, ou da onda do forvapor. A dissipação de poder de maior do que 0.8V é aplicação típica da montagem do PWB do ina possível.