Shenzhen Sai Collie Technology Co., Ltd.

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Pacote 8-SOIC da tecnologia da geração V do N-canal 20V da eletrônica de poder do MOSFET de IRF7401TRPBF

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Pacote 8-SOIC da tecnologia da geração V do N-canal 20V da eletrônica de poder do MOSFET de IRF7401TRPBF

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Number modelo :IRF7401TRPBF
Lugar de origem :Original
Quantidade de ordem mínima :1
Termos do pagamento :L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacidade da fonte :999999
Prazo de entrega :1-3 dias
Detalhes de empacotamento :Padrão
Tipo do FET :N-canal
tecnologia :MOSFET (óxido de metal)
Drene à tensão da fonte (Vdss) :20 V
Atual - dreno contínuo (identificação) @ 25°C :8.7A (Ta)
Tensão da movimentação (Max Rds On, Min Rds On) :2.7V, 4.5V
RDS (máximo) @ na identificação, Vgs :22mOhm @ 4.1A, 4.5V
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Pacote 8-SOIC da tecnologia da geração V do N-canal 20V da eletrônica de poder do MOSFET de IRF7401TRPBF

 

 

Tipo do FET
Tecnologia
MOSFET (óxido de metal)
Drene à tensão da fonte (Vdss)
Atual - dreno contínuo (identificação) @ 25°C
Tensão da movimentação (Max Rds On, Min Rds On)
2.7V, 4.5V
RDS (máximo) @ na identificação, Vgs
22mOhm @ 4.1A, 4.5V
Identificação de Vgs (th) (máximo) @
700mV @ 250µA (minuto)
Carga da porta (Qg) (máximo) @ Vgs
48 nC @ 4,5 V
Vgs (máximo)
±12V
Capacidade entrada (Ciss) (máximo) @ Vds
1600 PF @ 15 V
Característica do FET
-
Dissipação de poder (máxima)
2.5W (Ta)
Temperatura de funcionamento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montando o tipo
Pacote do dispositivo do fornecedor
8-SO
Pacote/caso

 

Tecnologia da geração V
Em-resistência ultra baixa
N-ChannelMosfet
Montagem de superfície
Disponível na fita & no carretel
Interruptor dinâmico de dv/dt RatingFast
Sem chumbo

 

Descrição:
A quinta geração HEXFETs de Rectifierutilize internacional avançou técnicas de processamento para conseguir a em-resistência possível a mais thelowest pela área do silicone. Thisbenefit, combinado com o projeto andruggedized rápido do dispositivo da velocidade de comutação que HEXFET PowerMOSFETs são conhecidos para, fornece o designerwith um dispositivo extremamente eficiente para o uso em um widevariety das aplicações.
Os TÃO 8 foram alterados através de um customizedleadframe para características que térmicas aumentadas o andmultiple morre capacidade que faz o ideal em uma variedade de aplicações do poder. Withtheseimprovements, multipledevices pode ser usado em uma aplicação com espaço dramaticallyreduced da placa. O pacote é projetado técnicas de solda da fase, as infravermelhas, ou da onda do forvapor. A dissipação de poder de maior do que 0.8V é aplicação típica da montagem do PWB do ina possível.

 

 

 

Proteção da bateriaPorque compra de nós rapidamente do >>>/com segurança/convenientemente
• SKL é um depositário conservado em estoque e uma empresa de comércio de componentes eletrônicos. Nosso escritório de ramos inclui China, Hong Kong, Sigapore, Canadá. Negócio, serviço, resourcing e informação da oferta para nosso membro global.
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• Nós tentaremos responder o mais rapidamente possível. Mas devido à diferença do fuso horário, reserve por favor até 24 horas obter seu correio respondido. Os produtos foram testados por alguns dispositivos ou software, nós asseguramo-nos de que não haja nenhum problema da qualidade.
• Nós somos cometidos ao serviço rápido, conveniente e seguro do fornecimento do transporte ao comprador global.
 
Pacote 8-SOIC da tecnologia da geração V do N-canal 20V da eletrônica de poder do MOSFET de IRF7401TRPBF

 

 

 

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