IRFR4105ZTRPBF MOSFET Eletrônica de Potência N-Channel Pacote de Comutação Rápida TO-252

Tecnologia de Processo Avançada
Resistência ultra baixa
175°C Temperatura operacional
Troca rápida
Avalanche repetitiva permitida até Tjmax
Liderar

Descrição:
Este HEXFET® Power MOSFET utiliza as mais recentes técnicas de processamento para obter resistência extremamente baixa por área de silício.As características adicionais deste projeto são uma operação de junção de 175°C
temperatura, velocidade de comutação rápida e classificação de avalanche repetitiva aprimorada.Esses recursos se combinam para tornar esse projeto um dispositivo extremamente eficiente e confiável para uso em uma ampla variedade de aplicações.

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IRFR4105ZTRPBF MOSFET Eletrônica de Potência N-Channel Pacote de Comutação Rápida TO-252

Tipo FET	Canal N
Tecnologia	MOSFET (Óxido Metálico)
Dreno para Tensão da Fonte (Vdss)	55 V
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C	30A (Tc)
Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	24,5mOhm @ 18A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs	27 nC @ 10 V
Vgs (Máx.)	±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	740 pF @ 25 V
Recurso FET	-
Dissipação de energia (máx.)	48W (Tc)
Temperatura de operação	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem	Montagem em superfície
Pacote de dispositivos do fornecedor	D-Pak
Pacote / Estojo	TO-252-3, DPak (2 derivações + guia), SC-63

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Microplaqueta programável de IC

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Eletrônica de poder do MOSFET

Módulo de poder de IGBT

Transistor do diodo de IC

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