IRLS4030TRLPBF MOSFET Power Electronics N-Channel 100V Pacote de comutação de energia de alta velocidade TO-263

Formulários
Motor DC
Retificação Síncrona de Alta Eficiência em SMPS
Fonte de energia ininterrupta
Comutação de energia de alta velocidade
Circuitos comutados e de alta frequência

Benefícios
Otimizado para unidade de nível lógico
RDS muito baixo (ON) em 4,5 V VGS
R*Q superior a 4,5 V VGS
Gate melhorado, avalanche e robustez dinâmica dV/dt
Capacitância Totalmente Caracterizada e Avalanche SOA
Díodo de corpo aprimorado Capacidade dV/dt e dI/dt
sem chumbo

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IRLS4030TRLPBF MOSFET Power Electronics N-Channel 100V Pacote de comutação de energia de alta velocidade TO-263

Tipo FET	Canal N
Tecnologia	MOSFET (Óxido Metálico)
Dreno para Tensão da Fonte (Vdss)	100 V
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C	180A (Tc)
Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On)	4,5 V, 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	4,3mOhm @ 110A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	2,5V @ 250µA
Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs	130 nC @ 4,5 V
Vgs (Máx.)	±16V
Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	11360 pF @ 50 V
Recurso FET	-
Dissipação de energia (máx.)	370W (Tc)
Temperatura de operação	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem	Montagem em superfície
Pacote de dispositivos do fornecedor	D2PAK
Pacote / Estojo	TO-263-3, D²Pak (2 derivações + guia), TO-263AB

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Microplaqueta programável de IC

Microplaqueta de IC do circuito integrado

Unidade do microcontrolador de MCU

Microplaquetas de IC dos componentes eletrônicos

Microplaquetas de memória Flash

Eletrônica de poder do MOSFET

Módulo de poder de IGBT

Transistor do diodo de IC

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