AOD508 MOSFET Eletrônica de Potência Discreta Semicondutor N-Channel 30V 50W Pacote de Montagem em Superfície TO-252

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Number modelo :AOD508

Lugar de origem :Original

Quantidade de ordem mínima :1

Termos do pagamento :L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram

Capacidade da fonte :999999

Prazo de entrega :1 - 3 dias

Detalhes de empacotamento :Padrão

Tensão da movimentação (Max Rds On, Min Rds On) :4.5V, 10V

Dissipação de poder (máxima) :2.5W (Ta), 50W (Tc)

Pacote/caso :TO-252-3, DPak (2 ligações + abas), SC-63

Capacidade entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :2010 PF @ 15 V

Número baixo do produto :AOD50

Carga da porta (Qg) (máximo) @ Vgs :49 nC @ 10 V

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datasheet 7 segment common anode

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Tipo FET	Canal N
Tecnologia	MOSFET (Óxido Metálico)
Dreno para Tensão da Fonte (Vdss)	30 V
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C	22A (Ta), 70A (Tc)
Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On)	4,5 V, 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	3mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	2,2V @ 250µA
Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs	49 nC @ 10 V
Vgs (Máx.)	±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	2010 pF @ 15 V
Recurso FET	-
Dissipação de energia (máx.)	2,5 W (Ta), 50 W (Tc)
Temperatura de operação	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem	Montagem em superfície
Pacote de dispositivos do fornecedor	TO-252 (DPAK)
Pacote / Estojo	TO-252-3, DPak (2 derivações + guia), SC-63
Número do produto básico	AOD50