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Poder do MOSFET AONR21321
Pacote discreto 8-DFN-EP do semicondutor do P-canal 30V da eletrônica
Tipo do FET
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Tecnologia
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MOSFET (óxido de metal)
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Drene à tensão da fonte (Vdss)
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Atual - dreno contínuo (identificação) @ 25°C
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Tensão da movimentação (Max Rds On, Min Rds On)
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4.5V, 10V
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RDS (máximo) @ na identificação, Vgs
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16.5mOhm @ 12A, 10V
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Identificação de Vgs (th) (máximo) @
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2.3V @ 250µA
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Carga da porta (Qg) (máximo) @ Vgs
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34 nC @ 10 V
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Vgs (máximo)
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±25V
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Capacidade entrada (Ciss) (máximo) @ Vds
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1180 PF @ 15 V
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Característica do FET
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-
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Dissipação de poder (máxima)
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4.1W (Ta), 24W (Tc)
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Temperatura de funcionamento
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-55°C ~ 150°C (TJ)
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Montando o tipo
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Pacote do dispositivo do fornecedor
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8-DFN-EP (3x3)
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Pacote/caso
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Número baixo do produto
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Descrição geral
• A tecnologia avançada a mais atrasada -30V da trincheira
• Baixo RDS (SOBRE)
• Capacidade atual alta
• RoHS e complacente Halogênio-livre
Aplicações
• Caderno C.A.-no interruptor da carga
• Carga/descarga da proteção da bateria
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