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Inversores dos conversores da C.C. da C.C. do N-canal da eletrônica de poder do MOSFET de IRFB7545PBF e da C.C. da C.A.

Tipo do FET	N-canal
Tecnologia	MOSFET (óxido de metal)
Drene à tensão da fonte (Vdss)	60 V
Atual - dreno contínuo (identificação) @ 25°C	95A (Tc)
Tensão da movimentação (Max Rds On, Min Rds On)	6V, 10V
RDS (máximo) @ na identificação, Vgs	5.9mOhm @ 57A, 10V
Identificação de Vgs (th) (máximo) @	3.7V @ 100µA
Carga da porta (Qg) (máximo) @ Vgs	110 nC @ 10 V
Vgs (máximo)	±20V
Capacidade entrada (Ciss) (máximo) @ Vds	4010 PF @ 25 V
Característica do FET	-
Dissipação de poder (máxima)	125W (Tc)
Temperatura de funcionamento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Montando o tipo	Através do furo
Pacote do dispositivo do fornecedor	TO-220
Pacote/caso	TO-220-3

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Microplaqueta programável de IC

Microplaqueta de IC do circuito integrado

Unidade do microcontrolador de MCU

Microplaquetas de IC dos componentes eletrônicos

Microplaquetas de memória Flash

Eletrônica de poder do MOSFET

Módulo de poder de IGBT

Transistor do diodo de IC

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