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Pacote aumentado N-canal TO-252 do descolamento do dV do diodo do corpo da eletrônica de poder do MOSFET de IRFR3607TRPBF e do descolamento dos dI

Tipo do FET	N-canal
Tecnologia	MOSFET (óxido de metal)
Drene à tensão da fonte (Vdss)	75 V
Atual - dreno contínuo (identificação) @ 25°C	56A (Tc)
Tensão da movimentação (Max Rds On, Min Rds On)	10V
RDS (máximo) @ na identificação, Vgs	9mOhm @ 46A, 10V
Identificação de Vgs (th) (máximo) @	4V @ 100µA
Carga da porta (Qg) (máximo) @ Vgs	84 nC @ 10 V
Vgs (máximo)	±20V
Capacidade entrada (Ciss) (máximo) @ Vds	3070 PF @ 50 V
Característica do FET	-
Dissipação de poder (máxima)	140W (Tc)
Temperatura de funcionamento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Montando o tipo	Montagem de superfície
Pacote do dispositivo do fornecedor	D-Pak
Pacote/caso	TO-252-3, DPak (2 ligações + abas), SC-63

Pacote aumentado N-canal TO-252 do descolamento do dV do diodo do corpo da eletrônica de poder do MOSFET de IRFR3607TRPBF e do descolamento dos dI

Microplaqueta programável de IC

Microplaqueta de IC do circuito integrado

Unidade do microcontrolador de MCU

Microplaquetas de IC dos componentes eletrônicos

Microplaquetas de memória Flash

Eletrônica de poder do MOSFET

Módulo de poder de IGBT

Transistor do diodo de IC

Pacote aumentado N-canal TO-252 do descolamento do dV do diodo do corpo da eletrônica de poder do MOSFET de IRFR3607TRPBF e do descolamento dos dI

rectifier diode datasheet

in5408 diode equivalent

rl207 diode equivalent