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Shenzhen Sai Collie Technology Co., Ltd.

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MOSFET de potência FDB024N08BL7 para aplicações de eletrônica de potência de alta eficiência Canal N único PQFN8 120 V 4,0 m 11

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China MOSFET de potência FDB024N08BL7 para aplicações de eletrônica de potência de alta eficiência Canal N único PQFN8 120 V 4,0 m 11 wholesale
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MOSFET de potência FDB024N08BL7 para aplicações de eletrônica de potência de alta eficiência Canal N único PQFN8 120 V 4,0 m 11
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Number modelo :FDB024N08BL7
Lugar de origem :Original
Quantidade de ordem mínima :1
Termos do pagamento :L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacidade da fonte :999999
Prazo de entrega :1-3 dias
Detalhes de empacotamento :Padrão
Drene à tensão da fonte (Vdss) :80 V
Atual - dreno contínuo (identificação) @ 25°C :120A (Tc)
RDS (máximo) @ na identificação, Vgs :2.4mOhm @ 100A, 10V
Identificação de Vgs (th) (máximo) @ :4.5V @ 250A
Carga da porta (Qg) (máximo) @ Vgs :178 nC @ 10 V
Vgs (máximo) :±20V
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PoderMSOFETFbanco de dados024N08BL7paraAlto-EeficiênciaPoderEletrônicosFormulários Canal N Único PQFN8 120 V 4,0 m 114 A

Tipo FET
Canal N
Tecnologia
MOSFET (Óxido Metálico)
Dreno para Tensão da Fonte (Vdss)
80 V
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C
120A (Tc)
Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
2,4mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4,5V @ 250µA
Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs
178 nC @ 10 V
Vgs (Máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
13530 pF @ 40 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
246W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem
Montagem em superfície
Pacote de dispositivos do fornecedor
TO-263-7
Pacote / Estojo
TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)

Lista de produtos:

FDB024N08BL7 – ON Semiconductor N-Channel MOSFET Eletrônica de Potência

Características:
• MOSFET do modo de aprimoramento de canal N
• Baixa resistência no estado
• Baixa carga de portão
• Alta capacidade de corrente
• Mudança rápida
• Classificação de avalanche

Especificações:
• Tensão da fonte de dreno: VDSS = 24 V
• Tensão Gate-Source: VGSS = ±20 V
• Resistência no estado ligado: RDS(ligado) = 0,0085 Ω (Típico)
• Corrente de Drenagem: ID = 8 A (Contínua)
• Dissipação de energia: Pd = 24,5 W
• Faixa de temperatura operacional: -55°C a +150°C
• Embalagem: TO-220

Por que comprar de nós >>> Rápido / Seguro / Conveniente
• A SKL é uma empresa de estoque e comércio de componentes eletrônicos. Nossas filiais incluem China, Hong Kong, Sigapore, Canadá.Ofereça negócios, serviços, recursos e informações para nosso membro global.
• As mercadorias são garantidas com a mais alta qualidade possível e são entregues aos nossos clientes em todo o mundo com rapidez e precisão.

Como comprar >>>
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Serviço >>>
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• Tentaremos responder o mais rápido possível.Porém, devido à diferença de fuso horário, aguarde até 24 horas para que seu e-mail seja respondido.Os produtos foram testados por alguns dispositivos ou software, garantimos que não haja problemas de qualidade.
• Estamos empenhados em fornecer um serviço de transporte rápido, conveniente e seguro para compradores globais.

MOSFET de potência FDB024N08BL7 para aplicações de eletrônica de potência de alta eficiência Canal N único PQFN8 120 V 4,0 m 11

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4.5 kva

n channel power mosfet

p55nfo power mosfet
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