Potência MOSFET IPP045N10N3GXKSA1
MOSFET de canal eletrônico eletrônico para aplicações de comutação
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Tipo FET
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Tecnologia
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Dreno para Tensão da Fonte (Vdss)
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Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C
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Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On)
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Rds On (Max) @ Id, Vgs
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Vgs(th) (Max) @ Id
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Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs
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Vgs (Máx.)
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Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
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Recurso FET
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Dissipação de energia (máx.)
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Temperatura de operação
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Tipo de montagem
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Pacote de dispositivos do fornecedor
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Pacote / Estojo
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Descrição:
O IPP045N10N3GXKSA1 MOSFET é projetado para aplicações de comutação de alta velocidade.É um MOSFET de modo de aprimoramento N-Channel com uma energia de avalanche classificada de 70mJ, uma classificação de corrente de dreno de 45A, uma resistência de estado de fonte de dreno de 0,010 Ohm e uma classificação de carga de porta de 31nC.Ele também tem uma tensão limite de 2,0 V e uma carga total de porta de 46 nC.
Além disso, apresenta uma tensão máxima dreno-fonte de 45 V, uma resistência máxima no estado de dreno-fonte de 0,013 Ohm e uma tensão máxima de porta-fonte de 20 V.O MOSFET está alojado em um pacote PowerPAK SO-8N, que é compatível com RoHS. Este é um MOSFET de canal N com uma tensão máxima dreno-fonte de 100V.Tem um RDS(on) de 0,45Ω e um ID de 45A.É ideal para aplicações de comutação de alta velocidade.
Características:
• Tensão máxima dreno-fonte: 100V
• RDS(ligado): 0,45Ω
• Identificação: 45A
• Velocidade de comutação rápida
• Baixa tensão de limiar de porta
• Baixa resistência no estado
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