Shenzhen Sai Collie Technology Co., Ltd.

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IRLB3813PBF MOSFET Eletrônica de Potência Alto Desempenho Comutação Rápida Conversão de Energia de Baixa Perda

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IRLB3813PBF MOSFET Eletrônica de Potência Alto Desempenho Comutação Rápida Conversão de Energia de Baixa Perda

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Number modelo :IRLB3813PBF
Lugar de origem :Original
Quantidade de ordem mínima :1
Termos do pagamento :L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacidade da fonte :999999
Prazo de entrega :1 - 3 dias
Detalhes de empacotamento :Padrão
Tipo do FET :N-canal
tecnologia :MOSFET (óxido de metal)
Drene à tensão da fonte (Vdss) :30V
Atual - dreno contínuo (identificação) @ 25°C :260A (Tc)
Tensão da movimentação (Max Rds On, Min Rds On) :4.5V, 10V
Drene a tensão da fonte :55V (máximo)
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IVLIBRA3813PnamoradoMSOFETPoderEletrônicos

Alto desempenho Comutação rápida Conversão de energia de baixa perda


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Nome do produto: IRLB3813PBF MOSFET Transistor

Descrição: O IRLB3813PBF é um transistor N-Channel Power MOSFET da Infineon Technologies.Ele é construído a partir de um MOSFET de trincheira de alto desempenho e é adequado para uma ampla gama de aplicações de comutação de energia.O dispositivo apresenta um baixo RDS(on) eficiente e baixa carga de porta para reduzir as perdas de energia no sistema.

Parâmetros:


• RDS(ligado): 8,3mΩ (max) @ VGS = 10V
• Tensão limite do portão: 2,5 V (máx.)
• Corrente de Drenagem Contínua: 25A (max) @ Tc = 25°C
• Tensão da fonte de drenagem: 55V (máx.)
• Faixa de temperatura operacional: -55°C a 150°C
• Livre de Pb e compatível com RoHS

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