MOSFET Power Electronics MGSF2N02ELT1G Pacote SOT-23 2,8 A 20 VN Modo de aprimoramento de canal MOSFET Transistor

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Number modelo :MGSF2N02ELT1G

Lugar de origem :Original

Quantidade de ordem mínima :1

Termos do pagamento :L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram

Capacidade da fonte :999999

Prazo de entrega :1-3 dias

Detalhes de empacotamento :Padrão

Drene à tensão da fonte (Vdss) :20 V

Atual - dreno contínuo (identificação) @ 25°C :2.8A (Ta)

Tensão da movimentação (Max Rds On, Min Rds On) :2.5V, 4.5V

RDS (máximo) @ na identificação, Vgs :85mOhm @ 3.6A, 4.5V

Identificação de Vgs (th) (máximo) @ :1V @ 250µA

Carga da porta (Qg) (máximo) @ Vgs :3,5 nC @ 4 V

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Etiquetas de Produtos:

p-channel mosfet sot-23

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Tipo FET	Canal N
Tecnologia	MOSFET (Óxido Metálico)
Dreno para Tensão da Fonte (Vdss)	20 V
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C	2,8A (Ta)
Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On)	2,5 V, 4,5 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	85mOhm @ 3,6A, 4,5V
Vgs(th) (Max) @ Id	1V @ 250µA
Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs	3,5 nC @ 4 V
Vgs (Máx.)	±8V
Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	150 pF @ 5 V
Recurso FET	-
Dissipação de energia (máx.)	1,25W (Ta)
Temperatura de operação	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem	Montagem em superfície
Pacote de dispositivos do fornecedor	SOT-23-3 (TO-236)
Pacote / Estojo	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3