Descrição geral
Este MOSFET de Nível Lógico P-Channel é produzido usando onsemi
processo POWERTRENCH avançado.Foi otimizado para bateria
aplicações de gerenciamento de energia.

Características
• Max RDS(on) = 50 m @ VGS = −10 V, ID = −4 A
• Max RDS(on) = 75 m @ VGS = −4,5 V, ID = −3,4 A
• Baixa carga de portão
• Tecnologia de trincheira de alto desempenho para RDS(ligado) extremamente baixo
• Livre de Pb, Livre de Haletos e Compatível com RoHS

Formulários
• Gerenciamento de bateria
• Interruptor de Carga
• Proteção da bateria
• Conversão DC-DC

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FDC658AP MOSFET Eletrônica de Potência Canal P Único POWERTRENCH Nível Lógico -30 V -4 A 50 m

Tipo FET	Canal P
Tecnologia	MOSFET (Óxido Metálico)
Dreno para Tensão da Fonte (Vdss)	30 V
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C	4A (Ta)
Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On)	4,5 V, 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	50mOhm @ 4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	3V @ 250µA
Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs	8,1 nC @ 5 V
Vgs (Máx.)	±25V
Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	470 pF @ 15 V
Recurso FET	-
Dissipação de energia (máx.)	1,6 W (Ta)
Temperatura de operação	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem	Montagem em superfície
Pacote de dispositivos do fornecedor	SuperSOT™-6
Pacote / Estojo	SOT-23-6 Fino, TSOT-23-6

FDC658AP MOSFET Eletrônica de Potência Canal P Único POWERTRENCH Nível Lógico -30 V -4 A 50 m

Microplaqueta programável de IC

Microplaqueta de IC do circuito integrado

Unidade do microcontrolador de MCU

Microplaquetas de IC dos componentes eletrônicos

Microplaquetas de memória Flash

Eletrônica de poder do MOSFET

Módulo de poder de IGBT

Transistor do diodo de IC

FDC658AP MOSFET Eletrônica de Potência Canal P Único POWERTRENCH Nível Lógico -30 V -4 A 50 m

zener switching diode diac

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