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IRF8788TRPBF MOSFET Eletrônica de Potência
Descrição do produto: O IRF8788TRPBF é um dispositivo eletrônico de potência MOSFET avançado.Ele é projetado para fornecer desempenho superior em aplicações que requerem comutação de alta corrente e tensão.Possui baixa resistência e velocidade de comutação rápida, tornando-o ideal para aplicações de gerenciamento de energia de alta corrente.
Características:
• Baixa resistência
• Velocidade de comutação rápida
• Alta capacidade de corrente
• Proteção ESD (±20kV HBM)
• redução de EMI
• Proteção de desligamento térmico
• Sem chumbo, compatível com RoHS
Classificações Máximas Absolutas:
• Tensão da Fonte de Dreno (VDS): 100V
• Tensão da Fonte do Gate (VGS): ±20V
• Corrente de Drenagem (ID): 10A
• Dissipação de energia (PD): 0,5W
• Faixa de temperatura operacional (TJ): -55 a 150°C
• Faixa de temperatura de armazenamento (Tstg): -55 a 150°C
Pacote: D2PAK
Fabricante: Infineon Technologies
Status do produto
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Ativo
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Tipo FET
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Tecnologia
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MOSFET (Óxido Metálico)
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Dreno para Tensão da Fonte (Vdss)
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Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C
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Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On)
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4,5 V, 10 V
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Rds On (Max) @ Id, Vgs
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2,8mOhm @ 24A, 10V
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Vgs(th) (Max) @ Id
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2,35V @ 100µA
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Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs
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66 nC @ 4,5 V
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Vgs (Máx.)
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±20V
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Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
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5720 pF @ 15 V
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Recurso FET
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-
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Dissipação de energia (máx.)
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2,5W (Ta)
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Temperatura de operação
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-55°C ~ 150°C (TJ)
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Tipo de montagem
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Pacote de dispositivos do fornecedor
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8-SO
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Pacote / Estojo
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Número do produto básico
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