Shenzhen Sai Collie Technology Co., Ltd.

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Mosfet de IRFB7740PBF na capacidade atual alta de alta tensão da eletrônica de poder

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Mosfet de IRFB7740PBF na capacidade atual alta de alta tensão da eletrônica de poder

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Number modelo :IRFB7740PBF
Lugar de origem :Multi-origem
Quantidade de ordem mínima :1
Termos do pagamento :L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacidade da fonte :999999
Prazo de entrega :1-7days
Detalhes de empacotamento :Padrão
Tipo de produto :Eletrônica de poder do MOSFET
Fabricante :Infineon Technologies
Fabricante Product Number :IRFB7740PBF
Descrição :MOSFET N-CH 75V 87A TO220AB
Fabricante Standard Lead Time :1-7days
Descrição detalhada :N-canal 75 V 87A (Tc) 143W (Tc) através do furo TO-220AB
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A eletrônica de poder do MOSFET de IRFB7740PBF é um dispositivo de capacidade elevada, eficaz na redução de custos que caracterizam uma baixa em-resistência, uma velocidade de comutação alta, e um desempenho de alta frequência. Este dispositivo é ideal para as aplicações que exigem o interruptor eficiente, seguro, e de alta potência.

 

Especificações de produto:

 

• Tensão máxima da Dreno-fonte: 100V
• Tensão máxima da Porta-fonte: 20V
• Corrente contínua do dreno: 30A
• Corrente máxima do pulso: 190A
• Em-resistência máxima da Dreno-fonte: 0.036Ω
• Variação da temperatura de funcionamento: -55°C a 150°C
• Pacote: TO-220AB
• RoHS complacente

 

 

Estado do produto
Ativo
Tipo do FET
Tecnologia
MOSFET (óxido de metal)
Drene à tensão da fonte (Vdss)
Atual - dreno contínuo (identificação) @ 25°C
Tensão da movimentação (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
RDS (máximo) @ na identificação, Vgs
7.3mOhm @ 52A, 10V
Identificação de Vgs (th) (máximo) @
3.7V @ 100µA
Carga da porta (Qg) (máximo) @ Vgs
122 nC @ 10 V
Vgs (máximo)
±20V
Capacidade entrada (Ciss) (máximo) @ Vds
4650 PF @ 25 V
Característica do FET
-
Dissipação de poder (máxima)
143W (Tc)
Temperatura de funcionamento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Montando o tipo
Pacote do dispositivo do fornecedor
TO-220AB
Pacote/caso
Número baixo do produto

 

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