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MOSFET do poder de IRFB4229PBF
Características do produto:
• Modo do realce do N-canal
• 100V, 37A, RDS (sobre) = 0.065Ω
• Baixa carga da porta (tipo. 11nC)
• Baixo Crss (tipo. 0.13A)
• Interruptor rápido
• RoHS complacente
• Sem chumbo
• Halogênio-livre
Descrição do produto:
O IRFB4229PBF é um MOSFET do N-canal projetado para aplicações de comutação do poder. Caracteriza uma em-resistência de 0.065Ω, uma avaliação atual de 37A, e uma tensão de funcionamento de 100V. O dispositivo tem uma baixa carga da porta de 11nC e de um baixo Crss de 0.13A. É RoHS complacente e sem chumbo/Halogênio-livre.
Estado do produto
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Ativo
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Tipo do FET
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Tecnologia
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MOSFET (óxido de metal)
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Drene à tensão da fonte (Vdss)
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Atual - dreno contínuo (identificação) @ 25°C
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Tensão da movimentação (Max Rds On, Min Rds On)
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10V
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RDS (máximo) @ na identificação, Vgs
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46mOhm @ 26A, 10V
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Identificação de Vgs (th) (máximo) @
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5V @ 250µA
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Carga da porta (Qg) (máximo) @ Vgs
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110 nC @ 10 V
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Vgs (máximo)
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±30V
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Capacidade entrada (Ciss) (máximo) @ Vds
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4560 PF @ 25 V
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Característica do FET
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-
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Dissipação de poder (máxima)
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330W (Tc)
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Temperatura de funcionamento
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-40°C ~ 175°C (TJ)
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Montando o tipo
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Pacote do dispositivo do fornecedor
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TO-220AB
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Pacote/caso
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Número baixo do produto
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