Shenzhen Sai Collie Technology Co., Ltd.

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Mosfet de IRF6613TRPBF Em-resistência de alta frequência da eletrônica de poder na baixa

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Mosfet de IRF6613TRPBF Em-resistência de alta frequência da eletrônica de poder na baixa

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Number modelo :IRF6613TRPBF
Lugar de origem :Multi-origem
Quantidade de ordem mínima :1
Termos do pagamento :L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacidade da fonte :999999
Prazo de entrega :1-7days
Detalhes de empacotamento :Padrão
Tipo de produto :Eletrônica de poder do MOSFET
Fabricante :Infineon Technologies
Fabricante Product Number :IRF6613TRPBF
Descrição :MOSFET N-CH 40V 23A DIRECTFET
Fabricante Standard Lead Time :1-7days
Descrição detalhada :N-canal 40 V 23A (Ta), 150A (Tc) 2.8W (Ta), (Tc) TA da montagem DIRECTFET™ da superfície 89W
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Eletrônica de poder do MOSFET de IRF6613TRPBF

 

Descrição do produto:


O IRF6613TRPBF é um dispositivo eletrónico do poder do MOSFET do modo do realce do N-canal, projetado para aplicações de comutação de alta frequência. Este dispositivo oferece a baixa em-resistência e a capacidade de carga atual alta, fazendo lhe uma escolha ideal para a gestão do poder e a conversão de circuitos de alta frequência.

 

Características:


• Baixa Em-resistência
• Capacidade de carga atual alta
• Interruptor de alta frequência
• RoHS complacente

 

Especificações:


• Polaridade: N-canal
• Tensão: 30V
• Drene à tensão da fonte (Vdss): 30V
• Tensão do ponto inicial da porta (Vgs): -4V
• Drene a corrente (identificação): -6A
• Corrente contínua do dreno (identificação): -6A
• Dissipação de poder (paládio): 130W
• Estilo da caixa do transistor: TO-220AB
• No. dos pinos: 3
• Variação da temperatura de funcionamento: -55°C a +150°C

 

 

Estado do produto
Ativo
Tipo do FET
Tecnologia
MOSFET (óxido de metal)
Drene à tensão da fonte (Vdss)
Atual - dreno contínuo (identificação) @ 25°C
Tensão da movimentação (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
RDS (máximo) @ na identificação, Vgs
3.4mOhm @ 23A, 10V
Identificação de Vgs (th) (máximo) @
2.25V @ 250µA
Carga da porta (Qg) (máximo) @ Vgs
63 nC @ 4,5 V
Vgs (máximo)
±20V
Capacidade entrada (Ciss) (máximo) @ Vds
5950 PF @ 15 V
Característica do FET
-
Dissipação de poder (máxima)
2.8W (Ta), 89W (Tc)
Temperatura de funcionamento
-40°C ~ 150°C (TJ)
Montando o tipo
Pacote do dispositivo do fornecedor
TA DE DIRECTFET™
Pacote/caso
Número baixo do produto

 

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Mosfet de IRF6613TRPBF Em-resistência de alta frequência da eletrônica de poder na baixa

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