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Eletrônica de poder do MOSFET de IRF6613TRPBF
Descrição do produto:
O IRF6613TRPBF é um dispositivo eletrónico do poder do MOSFET do modo do realce do N-canal, projetado para aplicações de comutação de alta frequência. Este dispositivo oferece a baixa em-resistência e a capacidade de carga atual alta, fazendo lhe uma escolha ideal para a gestão do poder e a conversão de circuitos de alta frequência.
Características:
• Baixa Em-resistência
• Capacidade de carga atual alta
• Interruptor de alta frequência
• RoHS complacente
Especificações:
• Polaridade: N-canal
• Tensão: 30V
• Drene à tensão da fonte (Vdss): 30V
• Tensão do ponto inicial da porta (Vgs): -4V
• Drene a corrente (identificação): -6A
• Corrente contínua do dreno (identificação): -6A
• Dissipação de poder (paládio): 130W
• Estilo da caixa do transistor: TO-220AB
• No. dos pinos: 3
• Variação da temperatura de funcionamento: -55°C a +150°C
Estado do produto
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Ativo
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Tipo do FET
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Tecnologia
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MOSFET (óxido de metal)
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Drene à tensão da fonte (Vdss)
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Atual - dreno contínuo (identificação) @ 25°C
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Tensão da movimentação (Max Rds On, Min Rds On)
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4.5V, 10V
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RDS (máximo) @ na identificação, Vgs
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3.4mOhm @ 23A, 10V
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Identificação de Vgs (th) (máximo) @
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2.25V @ 250µA
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Carga da porta (Qg) (máximo) @ Vgs
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63 nC @ 4,5 V
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Vgs (máximo)
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±20V
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Capacidade entrada (Ciss) (máximo) @ Vds
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5950 PF @ 15 V
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Característica do FET
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-
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Dissipação de poder (máxima)
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2.8W (Ta), 89W (Tc)
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Temperatura de funcionamento
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-40°C ~ 150°C (TJ)
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Montando o tipo
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Pacote do dispositivo do fornecedor
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TA DE DIRECTFET™
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Pacote/caso
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Número baixo do produto
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