IPD60R2K1CEAUMA1 MOSFET Eletrônica de Potência
Descrição do produto:
O IPD60R2K1CEAUMA1 é um Power MOSFET de canal N, otimizado para aplicações de comutação de energia.Este dispositivo foi projetado usando a avançada tecnologia Trench MOSFET para excelente RDS(ON) e baixa carga de gate.Ele fornece desempenho de comutação superior com tempos de comutação rápidos e carga de porta de baixo nível.Com uma ampla gama de VDSS, este dispositivo é adequado para uma variedade de aplicações de energia.
Características:
• MOSFET de potência de canal N
• Tecnologia Trench MOSFET avançada
• Otimizado para aplicações de comutação de energia
• Baixo RDS (LIGADO)
• Baixa carga de portão
• Tempos de comutação rápidos
• Carga de portão de baixo nível
• Ampla gama de VDSS
• Adequado para uma variedade de aplicações de energia
Especificações:
• Tensão da Fonte de Dreno (VDSS): 60V
• Corrente de Drenagem (ID): 2A
• RDS(ON): 1,45mΩ
• Tensão da Fonte do Gate (VGS): ±20V
• Máxima Dissipação de Potência (PD): 2,2W
• Temperatura de operação: -55°C a +150°C
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Status do produto
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Tipo FET
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Tecnologia
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Dreno para Tensão da Fonte (Vdss)
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Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C
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Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On)
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Rds On (Max) @ Id, Vgs
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Vgs(th) (Max) @ Id
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Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs
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Vgs (Máx.)
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Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
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Recurso FET
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Dissipação de energia (máx.)
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Temperatura de operação
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Tipo de montagem
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Pacote de dispositivos do fornecedor
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Pacote / Estojo
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Número do produto básico
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