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IRFB7730PBF MOSFET Eletrônica de potência:
Características:
-100V MOSFET N-Channel
-RDS típico (ligado) = 0,052 Ohm
-Baixa carga de portão (Qg)
-Cruz baixo
-AEC-Q101 Qualificado
Formulários:
-Comutação de energia
-Proteção da bateria
-Conversores DC-DC
-Comutação de Carga de Alta Corrente
-Comutação de carga lateral alta
-Comutação de propósito geral
Parâmetros:
-Tensão da fonte de dreno: 100V
-Corrente de drenagem contínua: 56A
-Dissipação de energia: 0,8W
-Tensão da fonte do portão: ±20V
-RDS(ligado): 0,052Ohm
-Qg Carga total do portão: 28nC
-Transcondutância: 16,2 S
-Capacitância de entrada: 590pF
-Pacote/Caixa: TO-220AB
Status do produto
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Ativo
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Tipo FET
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Tecnologia
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MOSFET (Óxido Metálico)
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Dreno para Tensão da Fonte (Vdss)
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Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C
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Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On)
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6V, 10V
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Rds On (Max) @ Id, Vgs
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2,6mOhm @ 100A, 10V
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Vgs(th) (Max) @ Id
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3,7V @ 250µA
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Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs
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407 nC @ 10 V
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Vgs (Máx.)
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±20V
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Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
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13660 pF @ 25 V
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Recurso FET
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-
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Dissipação de energia (máx.)
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375W (Tc)
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Temperatura de operação
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-55°C ~ 175°C (TJ)
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Tipo de montagem
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Pacote de dispositivos do fornecedor
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TO-220AB
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Pacote / Estojo
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Número do produto básico
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