Shenzhen Sai Collie Technology Co., Ltd.

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IRFB7546PBF Power Mosfet 100V 50A N-Channel Low RDS(On) Through Hole

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IRFB7546PBF Power Mosfet 100V 50A N-Channel Low RDS(On) Through Hole

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Number modelo :IRFB7546PBF
Lugar de origem :Multi-origem
Quantidade de ordem mínima :1
Termos do pagamento :L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacidade da fonte :999999
Prazo de entrega :1-7days
Detalhes de empacotamento :Padrão
Tipo de produto :Eletrônica de poder do MOSFET
Fabricante :Infineon Technologies
Fabricante Product Number :IRFB7546PBF
Descrição :MOSFET N-CH 60V 75A TO220AB
Fabricante Standard Lead Time :1-7days
Descrição detalhada :N-canal 60 V 75A (Tc) 99W (Tc) através do furo TO-220AB
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Lista de produtos:

IRFB7546PBF MOSFET Eletrônica de Potência

• Vds: 75V
• Identificação: 57A
• Rds(ligado): 0,100ohm
• Pacote: TO-220AB
• Tipo de montagem: Através do orifício
• Configuração: Único
• Tipo FET: MOSFET N-Channel
• Polaridade do Transistor: Canal N
• Tensão máxima da fonte de drenagem: 75V
• Tensão máxima da fonte do gate: 20V
• Corrente Máxima de Drenagem: 57A
• Resistência máxima da fonte de drenagem: 0,100ohm
• Dissipação de energia: 115W
• Faixa de temperatura operacional: -55°C a 175°C
• Marca: IRFB7546PBF

Status do produto
Ativo
Tipo FET
Tecnologia
MOSFET (Óxido Metálico)
Dreno para Tensão da Fonte (Vdss)
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C
Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
7,3mOhm @ 45A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3,7V @ 100µA
Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs
87 nC @ 10 V
Vgs (Máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
3000 pF @ 25 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
99W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem
Pacote de dispositivos do fornecedor
TO-220AB
Pacote / Estojo
Número do produto básico

Por que comprar conosco >>>Rápido / Seguro / Conveniente


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IRFB7546PBF Power Mosfet 100V 50A N-Channel Low RDS(On) Through Hole

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