BSC0901NSATMA1 MOSFET Eletrônica de Potência
Descrição do produto:
O BSC0901NSATMA1 é um dispositivo eletrônico de potência MOSFET de alto desempenho projetado para fornecer desempenho de comutação e fornecimento de energia superiores.Construído com tecnologia de silício sobre isolador (SOI), é ideal para aplicações como controle de motores, energia digital, fontes de alimentação comutadas e inversores de células solares.Oferece baixa carga de porta, baixa resistência, operação de alta frequência e excelente gerenciamento térmico.
Características do produto:
• Operação de alta frequência
• Baixa carga de portão
• Baixa resistência
• Excelente gerenciamento térmico
• Tecnologia de silício sobre isolador (SOI)
• Tensão máxima dreno-fonte de 600V
• Corrente máxima de pico de 40A
• Máxima dissipação de energia de 500W
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Status do produto
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Tipo FET
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Tecnologia
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Dreno para Tensão da Fonte (Vdss)
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Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C
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Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On)
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Rds On (Max) @ Id, Vgs
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Vgs(th) (Max) @ Id
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Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs
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Vgs (Máx.)
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Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
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Recurso FET
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Dissipação de energia (máx.)
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Temperatura de operação
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Tipo de montagem
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Pacote de dispositivos do fornecedor
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Pacote / Estojo
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Número do produto básico
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