Eletrônica de poder do MOSFET de NTMT090N65S3HF
Características do produto:
• MOSFET do N-canal 900V
• 30A RDS (sobre)
• Baixa carga da porta
• Baixo Miller Capacitance
• Interruptor de alta velocidade
• Baixos Qg e Qgd
• 100% UIS testado
• RoHS complacente
Especificações:
• Configuração: N-canal
• Tensão da Dreno-fonte (VDS): 900V
• Corrente contínua do dreno (identificação): 30A
• Em-resistência da Dreno-fonte (RDS (sobre)): 0,0058 ohms
• Tensão da Porta-fonte (VGS): ±20V
• Carga da porta (Qg): 48nC
• Capacidade entrada (Ciss): 3.2nF
• Dissipação de poder (paládio): 109W
• Temperatura de funcionamento: -55°C a 150°C
• Estilo da caixa do transistor: TO-220AB
• No. dos pinos: 3
• Montando o tipo: Através do furo
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Estado do produto
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Tipo do FET
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Tecnologia
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Drene à tensão da fonte (Vdss)
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Atual - dreno contínuo (identificação) @ 25°C
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Tensão da movimentação (Max Rds On, Min Rds On)
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RDS (máximo) @ na identificação, Vgs
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Identificação de Vgs (th) (máximo) @
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Carga da porta (Qg) (máximo) @ Vgs
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Vgs (máximo)
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Capacidade entrada (Ciss) (máximo) @ Vds
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Característica do FET
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Dissipação de poder (máxima)
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Temperatura de funcionamento
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Montando o tipo
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Pacote do dispositivo do fornecedor
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Pacote/caso
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