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NVMFS5C646NLWFAFT1G MOSFET Eletrônica de Potência
Descrição do produto:
O NVMFS5C646NLWFAFT1G é um dispositivo eletrônico de potência MOSFET de alto desempenho projetado para fornecer eficiência e confiabilidade de energia superiores.Este MOSFET de canal N é adequado para uso em uma variedade de aplicações, incluindo conversão de energia, controle de motor e condicionamento de sinal.É construído com uma porta de alta tensão integrada e um diodo de corpo integrado, permitindo seu uso em aplicações de alta potência.Com uma excelente resistência e baixa carga de gate, este dispositivo oferece eficiência de energia e confiabilidade superiores em uma ampla variedade de sistemas.
Características:
-Eletrônica de potência MOSFET de alto desempenho
-Portão de alta tensão integrado
-Díodo de corpo integrado
-Excelente on-resistência
-Baixa carga de portão
-Grande variedade de sistemas
Formulários:
-Conversão de energia
-Controle motor
-Condicionamento de sinal
Status do produto
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Ativo
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Tipo FET
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Tecnologia
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MOSFET (Óxido Metálico)
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Dreno para Tensão da Fonte (Vdss)
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Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C
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Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On)
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4,5 V, 10 V
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Rds On (Max) @ Id, Vgs
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4,7mOhm @ 50A, 10V
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Vgs(th) (Max) @ Id
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2V @ 250µA
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Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs
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33,7 nC @ 10 V
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Vgs (Máx.)
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±20V
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Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
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2164 pF @ 25 V
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Recurso FET
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-
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Dissipação de energia (máx.)
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3,7W (Ta), 79W (Tc)
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Temperatura de operação
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-55°C ~ 175°C (TJ)
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Tipo de montagem
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Pacote de dispositivos do fornecedor
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5-DFN (5x6) (8-SOFL)
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Pacote / Estojo
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Número do produto básico
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