Shenzhen Sai Collie Technology Co., Ltd.

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Transistor Mosfet NVMFS5C646NLWFAFT1G FETs de alta performance e ultra baixa tensão

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Transistor Mosfet NVMFS5C646NLWFAFT1G FETs de alta performance e ultra baixa tensão

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Number modelo :NVMFS5C646NLWFAFT1G
Lugar de origem :Multi-origem
Quantidade de ordem mínima :1
Termos do pagamento :L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacidade da fonte :999999
Prazo de entrega :1-7days
Detalhes de empacotamento :Padrão
Tipo de produto :Eletrônica de poder do MOSFET
Fabricante :onsemi
Fabricante Product Number :NVMFS5C646NLWFAFT1G
Descrição :MOSFET N-CH 60V 20A/93A 5DFN
Fabricante Standard Lead Time :1-7days
Descrição detalhada :N-canal 60 V 20A (Ta), 93A (Tc) 3.7W (Ta), (Tc) montagem 5-DFN da superfície 79W (5x6) (8-SOFL)
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NVMFS5C646NLWFAFT1G MOSFET Eletrônica de Potência

Descrição do produto:

O NVMFS5C646NLWFAFT1G é um dispositivo eletrônico de potência MOSFET de alto desempenho projetado para fornecer eficiência e confiabilidade de energia superiores.Este MOSFET de canal N é adequado para uso em uma variedade de aplicações, incluindo conversão de energia, controle de motor e condicionamento de sinal.É construído com uma porta de alta tensão integrada e um diodo de corpo integrado, permitindo seu uso em aplicações de alta potência.Com uma excelente resistência e baixa carga de gate, este dispositivo oferece eficiência de energia e confiabilidade superiores em uma ampla variedade de sistemas.

Características:


-Eletrônica de potência MOSFET de alto desempenho
-Portão de alta tensão integrado
-Díodo de corpo integrado
-Excelente on-resistência
-Baixa carga de portão

-Grande variedade de sistemas

Formulários:


-Conversão de energia
-Controle motor
-Condicionamento de sinal

Status do produto
Ativo
Tipo FET
Tecnologia
MOSFET (Óxido Metálico)
Dreno para Tensão da Fonte (Vdss)
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C
Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On)
4,5 V, 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
4,7mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs
33,7 nC @ 10 V
Vgs (Máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
2164 pF @ 25 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
3,7W (Ta), 79W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem
Pacote de dispositivos do fornecedor
5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Pacote / Estojo
Número do produto básico

Por que comprar conosco >>>Rápido / Seguro / Conveniente


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Transistor Mosfet NVMFS5C646NLWFAFT1G FETs de alta performance e ultra baixa tensão

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