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MOSFET Power Electronics NVMFS5C646NLAFT1G
Descrição do produto:
O MOSFET Power Electronics NVMFS5C646NLAFT1G é um módulo eletrônico de potência MOSFET de canal N com uma tensão operacional de 20V e uma tensão máxima dreno-fonte de 30V.Este módulo apresenta uma tensão de limite de porta baixa e uma capacitância de entrada baixa, tornando-o uma escolha ideal para aplicações de eletrônica de potência.O módulo é equipado com um diodo dreno fonte de baixa resistência integrado e pode lidar com uma classificação de corrente contínua de 5A.
Características do produto:
• Módulo de eletrônica de potência MOSFET N-Channel
• Tensão operacional: 20V
• Tensão máxima da fonte de dreno: 30V
• Baixa Tensão Limiar do Gate
• Baixa capacitância de entrada
• Diodo Fonte-Dreno de Baixa Resistência Integrado
• Classificação de corrente contínua: 5A
Status do produto
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Ativo
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Tipo FET
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Tecnologia
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MOSFET (Óxido Metálico)
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Dreno para Tensão da Fonte (Vdss)
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Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C
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Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On)
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4,5 V, 10 V
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Rds On (Max) @ Id, Vgs
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4,7mOhm @ 50A, 10V
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Vgs(th) (Max) @ Id
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2V @ 250µA
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Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs
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33,7 nC @ 10 V
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Vgs (Máx.)
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±20V
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Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
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2164 pF @ 25 V
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Recurso FET
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-
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Dissipação de energia (máx.)
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3,7W (Ta), 79W (Tc)
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Temperatura de operação
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-55°C ~ 175°C (TJ)
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Tipo de montagem
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Pacote de dispositivos do fornecedor
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5-DFN (5x6) (8-SOFL)
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Pacote / Estojo
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Número do produto básico
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