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NVMFS5113PLT1G MOSFET Eletrônica de Potência
Descrição: NVMFS5113PLT1G é um dispositivo MOSFET Power Electronics.É um transistor de potência, um tipo de transistor de efeito de campo semicondutor de óxido de metal (MOSFET) que pode ser usado para controlar o fluxo de corrente elétrica em circuitos.
Características:
• Robusto e confiável
• Baixa resistência e baixa carga de porta
• Baixa capacitância de saída
• Velocidades de comutação rápidas
• Tensão limite de porta-fonte baixa
• Baixa capacitância de dreno de portão
• Alta dissipação de energia
• Alta capacidade de manuseio de corrente
• Operação em alta temperatura
Formulários:
• Controle motor
• Gerenciamento de energia
• Fonte de alimentação CC
• Circuitos inversores
• Circuitos do carregador de bateria
• Comutação de fontes de alimentação
• Regulação de tensão
Status do produto
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Ativo
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Tipo FET
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Tecnologia
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MOSFET (Óxido Metálico)
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Dreno para Tensão da Fonte (Vdss)
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Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C
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Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On)
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4,5 V, 10 V
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Rds On (Max) @ Id, Vgs
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14mOhm @ 17A, 10V
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Vgs(th) (Max) @ Id
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2,5V @ 250µA
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Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs
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83 nC @ 10 V
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Vgs (Máx.)
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±20V
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Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
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4400 pF @ 25 V
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Recurso FET
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-
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Dissipação de energia (máx.)
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3,8 W (Ta), 150 W (Tc)
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Temperatura de operação
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-55°C ~ 175°C (TJ)
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Tipo de montagem
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Pacote de dispositivos do fornecedor
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5-DFN (5x6) (8-SOFL)
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Pacote / Estojo
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Número do produto básico
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