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FDD86102 MOSFET Eletrônica de Potência
O FDD86102 é um dispositivo eletrônico de potência MOSFET projetado para fornecer conversão de energia de alta eficiência.Possui baixa resistência e baixa carga de porta para entrega de energia superior.O dispositivo é construído com um pacote termicamente aprimorado de baixo perfil e é adequado para uso em uma variedade de aplicações.
Características:
• Baixa resistência de ativação - RDS(ligado): 2,2 mOhm (máx.)
• Baixa carga de portão - Qg: 11,5 nC (máx.)
• Pacote termicamente aprimorado de baixo perfil
• Livre de halogênio e compatível com RoHS
• Adequado para conversão de energia de alta eficiência
• Operação de alta tensão - VDS: 100 V (máx.)
• Operação de alta corrente - ID: 30 A (máx.)
Status do produto
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Ativo
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Tipo FET
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Tecnologia
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MOSFET (Óxido Metálico)
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Dreno para Tensão da Fonte (Vdss)
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Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C
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Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On)
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6V, 10V
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Rds On (Max) @ Id, Vgs
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24mOhm @ 8A, 10V
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Vgs(th) (Max) @ Id
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4V @ 250µA
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Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs
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19 nC @ 10 V
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Vgs (Máx.)
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±20V
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Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
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1035 pF @ 50 V
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Recurso FET
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-
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Dissipação de energia (máx.)
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3,1W (Ta), 62W (Tc)
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Temperatura de operação
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-55°C ~ 150°C (TJ)
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Tipo de montagem
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Pacote de dispositivos do fornecedor
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TO-252AA
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Pacote / Estojo
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Número do produto básico
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