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NTTFS5116PLTAG MOSFET Eletrônica de Potência
O NTTFS5116PLTAG MOSFET Power Electronics é um dispositivo semicondutor de potência de alto desempenho projetado para uso em uma variedade de aplicações.Possui baixa resistência no estado, alta velocidade de comutação e boas características de gerenciamento térmico.Este dispositivo é adequado para uso em uma variedade de topologias de energia, incluindo conversores buck, conversores boost, conversores de meia ponte e conversores de ponte completa.
Características:
• Baixa resistência no estado: RDS(On) = 0,091 ohms
• Alta velocidade de comutação: tF/tR = 6,5/6,5 ns
• Capacidade de corrente de pico alto: IDSM = 11,9A
• Baixa carga de porta: Qg = 10,5 nC
• Baixa resistência térmica: RθJC = 0,71°C/W
• Pacote padrão TO-220
• Sem chumbo, compatível com RoHS
Status do produto
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Ativo
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Tipo FET
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Tecnologia
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MOSFET (Óxido Metálico)
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Dreno para Tensão da Fonte (Vdss)
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Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C
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Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On)
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4,5 V, 10 V
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Rds On (Max) @ Id, Vgs
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52mOhm @ 6A, 10V
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Vgs(th) (Max) @ Id
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3V @ 250µA
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Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs
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25 nC @ 10 V
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Vgs (Máx.)
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±20V
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Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
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1258 pF @ 30 V
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Recurso FET
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-
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Dissipação de energia (máx.)
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3,2 W (Ta), 40 W (Tc)
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Temperatura de operação
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-55°C ~ 175°C (TJ)
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Tipo de montagem
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Pacote de dispositivos do fornecedor
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8-WDFN (3,3x3,3)
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Pacote / Estojo
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Número do produto básico
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