Ponto baixo do poder superior do tubo do Mosfet de SVD5865NLT4G na resistência TO-263AB

Esta lista é para uma eletrônica de poder do MOSFET de SVD5865NLT4G.

Características e especificações:

- Tipo do MOSFET: N-canal
- Drene a tensão da fonte (Vds): 60V
- Em-resistência da Dreno-fonte (RDS): 0,0065 ohms
- Corrente contínua do dreno (identificação): 58A
- Dissipação de poder (paládio): 230W
- Temperatura de junção máxima (Tj): 175 graus Célsio
- Temperatura de funcionamento: -55 a 175 graus Célsio
- Montando o tipo: Montagem de superfície
- Pacote/caso: TO-263-3
- Pacote do dispositivo do fornecedor: TO-263AB
- Estado sem chumbo/estado de RoHS: Sem chumbo/RoHS complacente
- Produto: Eletrônica de poder do MOSFET
- Tipo: SVD

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