Shenzhen Sai Collie Technology Co., Ltd.

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Montagem de superfície RoHS da eletrônica de poder do MOSFET SI2347DS-T1-BE3 complacente

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Montagem de superfície RoHS da eletrônica de poder do MOSFET SI2347DS-T1-BE3 complacente

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Number modelo :SQ3427AEEV-T1_BE3
Lugar de origem :Original
Quantidade de ordem mínima :1
Termos do pagamento :L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacidade da fonte :999999
Prazo de entrega :1-3 dias
Detalhes de empacotamento :Padrão
Drene à tensão da fonte (Vdss) :60 V
Atual - dreno contínuo (identificação) @ 25°C :5.3A (Tc)
Tensão da movimentação (Max Rds On, Min Rds On) :4.5V, 10V
RDS (máximo) @ na identificação, Vgs :95mOhm @ 4.5A, 10V
Identificação de Vgs (th) (máximo) @ :2.5V @ 250µA
Carga da porta (Qg) (máximo) @ Vgs :22 nC @ 10 V
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De grande eficacia SI2347DS-T1-BE3 de alta velocidade

MOSFET do N-canal para aplicações da eletrônica de poder

 

 

Tipo do FET
Tecnologia
MOSFET (óxido de metal)
Drene à tensão da fonte (Vdss)
Atual - dreno contínuo (identificação) @ 25°C
Tensão da movimentação (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
RDS (máximo) @ na identificação, Vgs
95mOhm @ 4.5A, 10V
Identificação de Vgs (th) (máximo) @
2.5V @ 250µA
Carga da porta (Qg) (máximo) @ Vgs
22 nC @ 10 V
Vgs (máximo)
±20V
Capacidade entrada (Ciss) (máximo) @ Vds
1000 PF @ 30 V
Característica do FET
-
Dissipação de poder (máxima)
5W (Tc)
Temperatura de funcionamento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Montando o tipo
Pacote do dispositivo do fornecedor
6-TSOP
Pacote/caso

 

 

Características:
- Manipulação atual alta até de 28A
- Baixa em-resistência de até 0,0075 ohms
- Baixa carga da porta até de 14nC
- Baixa capacidade da entrada até de 10pF
- Baixa tensão do ponto inicial até de 1.65V
- Tensão máxima da dreno-fonte até de 30V
- Nível da lógica compatível
- AEC-Q101 qualificou
- Halogênio-livre, RoHS complacente

 


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Montagem de superfície RoHS da eletrônica de poder do MOSFET SI2347DS-T1-BE3 complacente

 

 

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