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SFH6156-2T MOSFET Eletrônica de Potência
Pacote de canal de saída de transistor optoisolador 5300 Vrms 4-SMD
Tensão - Isolamento
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5300 Vrms
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Taxa de transferência atual (min)
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63% @ 10mA
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Taxa de transferência atual (máx.)
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125% @ 10mA
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Hora de ligar/desligar (tipo)
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3µs, 2,3µs
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Tempo de subida/descida (tipo)
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2µs, 2µs
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Tipo de entrada
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DC
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Tipo de saída
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Transistor
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Tensão - Saída (Máx.)
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70V
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Corrente - Saída / Canal
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50mA
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Tensão - Direto (Vf) (Típico)
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1,25V
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Corrente - DC Forward (If) (Max)
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60 mA
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Saturação Vce (Max)
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400mV
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Temperatura de operação
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-55°C ~ 100°C
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Tipo de montagem
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Montagem em superfície
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Pacote / Estojo
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4-SMD, Asa de Gaivota
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Pacote de dispositivos do fornecedor
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4-SMD
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Descrição: Este MOSFET é um transistor de efeito de campo de potência de modo de aprimoramento de canal N com uma baixa resistência no estado.É adequado para uso em uma ampla gama de aplicações, incluindo comutação, amplificadores e fontes de alimentação.
Características:
• Baixa resistência no estado
• Comutação de alta velocidade
• Baixa capacitância da fonte de dreno
• Alta impedância de entrada
• Baixa resistência térmica
• Baixa corrente de fuga de porta-fonte
Especificações:
• Tensão da Fonte de Dreno (Vdss): -100V
• Tensão da fonte do portão (Vgss): -20V
• Corrente de Drenagem (Id): -1,2A
• Resistência de fonte de dreno (Rds(on)): 0,07ohm
• Transcondutância (gm): 8,0mS
• Dissipação de energia (Pd): 1,5 W
• Temperatura de operação: -55°C a 150°C
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