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Poder do MOSFET IPB60R380C6 eletrônico
Em-resistência de capacidade elevada do módulo baixa
Tipo do FET
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Tecnologia
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MOSFET (óxido de metal)
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Drene à tensão da fonte (Vdss)
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Atual - dreno contínuo (identificação) @ 25°C
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Tensão da movimentação (Max Rds On, Min Rds On)
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10V
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RDS (máximo) @ na identificação, Vgs
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380mOhm @ 3.8A, 10V
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Identificação de Vgs (th) (máximo) @
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3.5V @ 320µA
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Carga da porta (Qg) (máximo) @ Vgs
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32 nC @ 10 V
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Vgs (máximo)
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±20V
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Capacidade entrada (Ciss) (máximo) @ Vds
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700 PF @ 100 V
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Característica do FET
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-
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Dissipação de poder (máxima)
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83W (Tc)
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Temperatura de funcionamento
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-55°C ~ 150°C (TJ)
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Montando o tipo
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Pacote do dispositivo do fornecedor
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PG-TO263-3
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Pacote/caso
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Características:
• Em-resistência ultra baixa RDS (sobre)
• Baixa carga Qg da porta
• Baixo Ciss da capacidade da entrada
• Velocidade de comutação rápida
• a avalancha 100% testou
Avaliações máximas absolutas:
• Tensão da Porta-fonte (VGS): ±20V
• Corrente contínua do dreno (identificação): 48A
• Dissipação de poder (paládio): 350W
• Temperatura do funcionamento e de armazenamento (TJ e Tstg): -55 a +150°C
Características térmicas:
• Junção-à-caso da resistência térmica (RθJC): 0.8°C/W
• Resistência térmica Junção-à-ambiental (RθJA): 15°C/W
Características elétricas:
• Tensão de divisão da Dreno-fonte (V (BR) DSS): 60V
• Em-resistência estática da Dreno-fonte (RDS (sobre)): 0.38Ω
• Tensão do ponto inicial da porta (VGS (th)): 2.2V
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