Shenzhen Sai Collie Technology Co., Ltd.

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Solução segura de capacidade elevada do poder da eletrônica de poder do MOSFET de IRFR9024NTRPBF

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Solução segura de capacidade elevada do poder da eletrônica de poder do MOSFET de IRFR9024NTRPBF

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Number modelo :IRFR9024NTRPBF
Lugar de origem :Mulit-origem
Quantidade de ordem mínima :1
Termos do pagamento :L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacidade da fonte :999999
Prazo de entrega :1-7days
Detalhes de empacotamento :Padrão
Estado do produto :Ativo
Tipo do FET :N-canal
tecnologia :MOSFET (óxido de metal)
Número baixo do produto :IRFR9024NTRPBF
Drene a tensão da fonte (Vdss) :55 V
Atual - dreno contínuo (identificação) @ 25°C :11A (Tc)
Tensão da movimentação (Max Rds On, Min Rds On) :10V
RDS (máximo) @ na identificação, Vgs :175mOhm @ 6.6A, 10V
Identificação de Vgs (th) (máximo) @ :4V @ 250µA
Carga da porta (Qg) (máximo) @ Vgs :19 nC @ 10 V
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Solução segura de capacidade elevada do poder da eletrônica de poder do MOSFET de IRFR9024NTRPBF

 

Lista do produto:

 

MOSFET DE IRFR9024NTRPBF

 

Características:

 

• 100V, MOSFET do N-canal
• Baixo RDS (sobre)
• Baixa carga da porta
• Capacidade de manipulação atual alta
• Baixa resistência térmica
• Disponível Pb-livre

 

Especificações:

 

• Tensão da Dreno-fonte (VDS): 100V
• RDS (sobre): 0,0018 Ω
• Tensão da Porta-fonte (VGS): ±20V
• Carga da porta (Qg): 10nC
• Dreno Atual-contínuo (identificação): 28A
• Temperatura de funcionamento (Tj): -55°C a 150°C
• Dissipação de poder (paládio): 1.2W
• Resistência térmica (RthJ-L): 0.3°C/W
• Montando o tipo: Montagem de superfície

 

 

Solução segura de capacidade elevada do poder da eletrônica de poder do MOSFET de IRFR9024NTRPBF

 

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