Shenzhen Sai Collie Technology Co., Ltd.

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IRF840APBF Mosfet Basic Electronics para maior confiabilidade e eficiência

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IRF840APBF Mosfet Basic Electronics para maior confiabilidade e eficiência

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Number modelo :IRF840APBF
Lugar de origem :Original
Quantidade de ordem mínima :1
Termos do pagamento :L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacidade da fonte :999999
Prazo de entrega :1-3 dias
Detalhes de empacotamento :Padrão
Empacotamento :TO-220AB
Número de pinos :3
Configuração :único
Drene à tensão da fonte (Vdss) :500V
Atual - dreno contínuo (identificação) @ 25°C :11A
Poder - máximo :40W
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IRF840APBF MOSFET Eletrônica de potência de alto desempenho para maior confiabilidade e eficiência

Tipo FET
Tecnologia
MOSFET (Óxido Metálico)
Dreno para Tensão da Fonte (Vdss)
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C
Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
850mOhm @ 4,8A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs
38 nC @ 10 V
Vgs (Máx.)
±30V
Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
1018 pF @ 25 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
125W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Pacote de dispositivos do fornecedor
TO-220AB
Pacote / Estojo

Parâmetros:

Embalagem: TO-220AB
Número de pinos: 3
Configuração: Único
Tensão de dreno para fonte (Vdss): 500V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C: 11A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10 mOhm @ 8A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250μA
Carga do Gate (Qg) (Máx) @ Vgs: 28nC @ 10V
Capacitância de entrada (Ciss) (Máx) @ Vds: 790pF @ 25V
Potência - Máx.: 40W
Temperatura operacional: -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem: Através do orifício
Polaridade: Canal N


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