AOD4189 MOSFET Transistores de eletrônica de potência Canal P 40 V 2,5 W Montagem em superfície

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Number modelo :AOD4189

Lugar de origem :Original

Quantidade de ordem mínima :1

Termos do pagamento :L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram

Capacidade da fonte :999999

Prazo de entrega :1 - 3 dias

Detalhes de empacotamento :Padrão

Atual - dreno contínuo (identificação) @ 25°C :40A (Tc)

Capacidade entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :1870 PF @ 20 V

Pacote/caso :TO-252-3, DPak (2 ligações + abas), SC-63

Dissipação de poder (máxima) :2.5W (Ta), 62.5W (Tc)

Identificação de Vgs (th) (máximo) @ :3V @ 250µA

RDS (máximo) @ na identificação, Vgs :22mOhm @ 12A, 10V

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Etiquetas de Produtos:

surface mount zener diode

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Tipo FET	Canal P
Tecnologia	MOSFET (Óxido Metálico)
Dreno para Tensão da Fonte (Vdss)	40 V
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C	40A (Tc)
Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On)	4,5 V, 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	22mOhm @ 12A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	3V @ 250µA
Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs	41 nC @ 10 V
Vgs (Máx.)	±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	1870 pF @ 20 V
Recurso FET	-
Dissipação de energia (máx.)	2,5 W (Ta), 62,5 W (Tc)
Temperatura de operação	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem	Montagem em superfície
Pacote de dispositivos do fornecedor	TO-252 (DPAK)
Pacote / Estojo	TO-252-3, DPak (2 derivações + guia), SC-63
Número do produto básico	AOD418